收藏本站
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Reverse Light Current vs. Emitter Output
Power
Figure 3. Capacitance vs. Reverse Voltage
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSD2030F Rev. 1.2.0
3
Figure 2. Angular Response
Figure 4. Dark Current vs. Reverse Voltage
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
QSD2030 PHOTODIODE 880NM CLEAR 5MM
QSE1103 PHOTOSENSOR HS LOGIC SIDELOOKER
QSE114E3R0 PHOTOTRANSISTOR IR 30V SIDELOOKR
QSE122 IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK
QSE133 IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK
QSE158C PHOTOSENSOR BIPOLAR SIDELOOKER
QSE256 IC PHOTOSENSOR SIDELOOKER
QSE257 IC PHOTOSENSOR SIDELOOKER
相关代理商/技术参数
QSD422 制造商:QT 制造商全称:QT 功能描述:PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSD423 功能描述:光电晶体管 REORD 512-QSD723 1.2mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
QSD424 制造商:QT 制造商全称:QT 功能描述:PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR
QSD722 功能描述:光电晶体管 0.6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
QSD722_Q 功能描述:光电晶体管 0.6mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
QSD723 功能描述:光电晶体管 2.5mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
QSD723_0107 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin TO-18 Bulk
QSD724 功能描述:光电晶体管 3.5mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
    • 鎴�
    • 閲囪喘
    • 鎼滅储
    • 浼氬憳